SRAM（Static Random-Access Memory，静态随机存取存储器）是一种基于双稳态触发器的半导体存储器，通过晶体管状态保存数据，无需刷新电路即可在供电状态下维持存储，断电后数据丢失。SRAM于1963年由Fairchild发明，1969年Intel推出了3101 SRAM 。其典型存储单元由6个晶体管构成交叉耦合结构，具备纳秒级存取速度和低延迟特性，主要应用于CPU高速缓存（L1-L3）、网络交换设备及物联网终端等领域。根据工作模式可分为同步与异步两类：同步SRAM依赖时钟信号，适用于高性能数据缓冲；异步SRAM无时钟输入，功耗更低，多用于移动设备。微功耗设计结合90nm工艺使其在电池供电设备中提升续航能力。相比DRAM，SRAM存取速度快10倍以上，但集成度低且成本较高，通常用作高速缓存而非主存 。QDR/DDR等特殊架构通过分离读写端口提升带宽，满足网络系统高吞吐需求。在先进工艺节点（如2nm及以下），SRAM面临扩展性瓶颈，位单元密度提升幅度显著下降，行业正在探索通过3D堆叠、芯片组技术以及MRAM、ReRAM等新兴嵌入式存储器来应对挑战 。
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