碳化硅半导体，是以碳化硅（SiC）材料为核心的第三代宽禁带半导体。相较于传统硅基半导体，碳化硅具有禁带宽度大（约为硅的3倍）、击穿电场高（约为硅的10倍）、热导率高（约为硅的3倍）、电子饱和速率高等物理特性，因而具备耐高压、耐高温、高频高效等特点。该材料可用于制造高性能功率器件，其应用已从新能源汽车、光伏储能、AI数据中心电源等领域，扩展至消费电子快充、工业电机驱动、智能电网、轨道交通、白色家电以及5G通信基站、雷达、太空望远镜等场景。在新能源汽车中，碳化硅器件应用于800V/1000V高压平台的主驱逆变器、车载充电机（OBC）、DC-DC转换器等部件。
目前，其衬底、外延及器件制造技术持续迭代，衬底尺寸正从6英寸、8英寸向12英寸迈进，并涌现出3300V等更高耐压的器件。产业链国产化进程加速，中国企业在衬底等环节已跻身全球前列，相关检测方法与行业标准体系（如T/CASAS系列团体标准）日趋完善。2026年，有国内碳化硅IDM企业在港交所上市。2024年碳化硅在全球功率半导体中的渗透率已达4.9%，并预计将持续增长。
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