第三类存储技术是由复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队于2018年4月10日研发的二维半导体准非易失存储原型器件，相关研究成果以《用于准非易失应用的范德瓦尔斯结构半浮栅存储》为题发表于《自然·纳米技术》 。该技术突破国际半导体电荷存储领域长期存在的写入速度与非易失性难以兼容的瓶颈，通过范德瓦尔斯异质结构设计实现可编程数据存储周期调控 。
该技术写入速度达到10纳秒，比传统U盘快1万倍，数据刷新时间延长至内存技术的156倍，支持10秒至10年可定制数据有效期 。其准非易失特性既满足高速内存功耗降低需求，又能实现数据到期自动消除功能，适用于无人驾驶、智慧交通违章识别等需要高速计算与大容量存储的应用场景 。研究采用二硫化钼/二硒化钨PN结与二硫化铪/氮化硼范德瓦尔斯异质结构建半浮栅晶体管结构，为未来二维材料超级计算机存储系统提供技术基础 。
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