肖特基箝位晶体管（Schottky-clamped transistor，SCT）是一种高速半导体器件，属于晶体管种类，通过在n-p-n双极型晶体管的基极与集电极间集成肖特基势垒二极管（SBD）构成。其核心功能是借助SBD的低正向压降特性（约0.45V）箝位集电结电压，限制晶体管进入深饱和状态，从而减少超量存储电荷并缩短存储时间，提升集成电路的开关速度。
该器件在导通状态下，当集电结电压超过SBD导通阈值时，二极管会分流基极电流，避免传统BJT在开关速度与基极电流需求间的矛盾。主要应用于高速TTL（STTL）和低功耗TTL（LSTTL）电路，通过离子注入等工艺优化集成度，典型应用可使门电路延时降至3ns、功耗降低至标准TTL的1/5。其缺点是导致晶体管饱和压降升高、反向漏电流增大，且对硅表面处理和金属化工艺要求较高 。
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