MIS结构是半导体器件中的基础元件，由金属、绝缘层和半导体依次堆叠构成。其核心物理特性包括表面空间电荷层的四种状态（堆积、平带、耗尽、反型）以及对应的能带弯曲机制，电容-电压（C-V）特性曲线可反映界面态和绝缘层质量。该结构在太阳电池中通过肖特基势垒效应提升光电转换效率，相比传统p-n结具有制造工艺简单、降低材料消耗等优势 。在晶体管制造中，MIS接触结构能优化载流子注入效率并降低器件功耗 。研究显示，采用超薄SiO2绝缘层的MIS结构可使AlGaN基深紫外LED的正向电压降低，电光转化率提升。随着半导体工艺发展，MIS结构在高速MISFET集成电路与表面钝化技术中发挥关键作用 。
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